Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/2445/41810
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.advisorBertomeu i Balagueró, Joan-
dc.contributor.advisorFrigeri, Paolo Antonio-
dc.contributor.authorNos Aguilà, Oriol-
dc.contributor.otherUniversitat de Barcelona. Departament de Física Aplicada i Òptica-
dc.date.accessioned2013-05-03T11:13:05Z-
dc.date.available2013-05-03T11:13:05Z-
dc.date.issued2013-01-07-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2445/41810-
dc.description.abstract[eng] The first block of this thesis deals with the study of the degradation process of tungsten catalytic filaments in the field of silicon deposition with the Hot Wire Chemical Vapour Deposition (HWCVD) technique. The development of technological solutions addressed to the filaments protection will also be dealt as well as the design, fabrication and performance of a novel system for the automatic replacement of used filaments in a HWCVD reactor. The second block deals with the scaling up of HWCVD towards large area deposition and the existence of a scaling law that may allow the deposition of microcrystalline silicon (µc-Si:H) at high rate preserving the material quality.eng
dc.description.abstract[cat] El primer bloc d'aquesta tesi es centra en l'estudi del procés de degradació dels filaments de tungstè catalítics en el camp de la deposició de silici amb la tècnica de dipòsit químic en fase vapor assistida per filament calent (HWCVD). També es tractarà el desenvolupament de solucions tecnològiques dirigides a la protecció filaments i al reemplaçament d’aquests de forma automàtica, sense interrompre el procés. El segon bloc tracta sobre l’escalat de la tècnica HWCVD cap a gran àrea i sobre l'existència d'una llei d'escala que permeti la deposició de silici microcristal•lí a altes velocitats, tot preservant la qualitat del material.cat
dc.format.extent196 p.-
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.language.isoeng-
dc.publisherUniversitat de Barcelona-
dc.rightscc-by-nc-sa (c) Nos Aguilà, 2013-
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/3.0/es/-
dc.subject.classificationCèl·lules solars-
dc.subject.classificationSilici-
dc.subject.classificationPel·lícules fines-
dc.subject.classificationSemiconductors-
dc.subject.classificationDeposició en fase de vapor-
dc.subject.otherSolar cells-
dc.subject.otherSilicon-
dc.subject.otherThin films-
dc.subject.otherVapor-plating-
dc.titleHWCVD Technology Development Addressed to the High Rate Deposition of mi-c-Si:Heng
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/doctoralThesis-
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion-
dc.identifier.dlB. 3554-2013-
dc.rights.accessRightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess-
dc.identifier.tdxhttp://hdl.handle.net/10803/98346-
Appears in Collections:Tesis Doctorals - Departament - Física Aplicada i Òptica

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
ONA_PhD_THESIS.pdf9.15 MBAdobe PDFView/Open


This item is licensed under a Creative Commons License Creative Commons