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1992Composition modulation and inhomogeneous strain field in InxGa1-xAs/InP strained layersRoura Grabulosa, Pere; Bosch Estrada, José; Morante i Lleonart, Joan Ramon
1992Time-resolved measurements on 2T2 -> 2E photoluminescence of Ti3+ in GaPRoura Grabulosa, Pere; Benyattou, T.; Guillot, G.; Moncorge, R.; Ulrici, W.
1997Caracterización estructural de capas epitaxiadas de InGaAs/InAlAs crecidas sobre substratos (111) de InPVilà i Arbonès, Anna Maria; Peiró Martínez, Francisca; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon
1997Síntesis de capas de SiC en substrato de Si mediante implantación iónicaPérez, A.; Romano Rodríguez, Alberto; Serre, Christophe; Calvo Barrio, Lorenzo; Cabezas, R.; Morante i Lleonart, Joan Ramon
1997Fotoluminiscencia visible debida a capas de SiO2. implantadas con silicio y carbonoLópez de Miguel, Manuel; Ferré, S.; Pérez-Rodríguez, A.; Ruterana, P.; Morante i Lleonart, Joan Ramon; Garrido Fernández, Blas
1997Organización espontánea de puntos cuánticos de InSb crecidos por ALMBE sobre substratos de InPFerrer, J.C.; Peiró Martínez, Francisca; Cornet i Calveras, Albert; Morante i Lleonart, Joan Ramon; Uztmeier, T.; Armelles, G.; Briones, F.