Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/2445/9848
Title: Composition modulation and inhomogeneous strain field in InxGa1-xAs/InP strained layers
Author: Roura Grabulosa, Pere
Bosch Estrada, José
Morante i Lleonart, Joan Ramon
Keywords: Electrònica de l'estat sòlid
Propietats òptiques
Luminescència
Semiconductors
Microscòpia electrònica de transmissió
Solid state electronics
Optical properties
Photoluminescence
Semiconductors
Transmission electron microscopy
Issue Date: 1992
Publisher: The American Physical Society
Note: Reproducció digital del document publicat en format paper, proporcionada per PROLA i http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.46.10453
It is part of: Physical Review B, 1992, vol. 46, núm. 16, p. 10453-10456.
URI: http://hdl.handle.net/2445/9848
ISSN: 0163-1829
Appears in Collections:Articles publicats en revistes (Electrònica)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
71200.pdf566.99 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.