Carregant...
Fitxers
Tipus de document
ArticleVersió
Versió publicadaData de publicació
Tots els drets reservats
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/18204
Effect of the nanoparticles on the structure and crystallization of amorphous silicon thin films produced by rf glow discharge
Títol de la revista
Director/Tutor
ISSN de la revista
Títol del volum
Recurs relacionat
Resum
Thin films of nanostructured silicon (ns-Si:H) were deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition in the presence of silicon nanoparticles at 100 C substrate temperature using silane and hydrogen gas mixture under continuous wave (cw) plasma conditions. The nanostructure of the films has been demonstrated by diverse ways: transmission electron microscopy, Raman spectroscopy and x-ray diffraction, which have shown the presence of ordered silicon clusters (1!=2 nm) embedded in an amorphous silicon matrix. Due to the presence of these ordered domains, the films crystallize faster than standard hydrogenated amorphous silicon samples, as evidenced by electrical measurements during the thermal annealing.
Matèries
Matèries (anglès)
Citació
Col·leccions
Citació
BERTRÁN SERRA, Enric, SHARMA, S. n., VIERA MÁRMOL, Gregorio, COSTA I BALANZAT, Josep, ST'AHEL, P., ROCA I CABARROCAS, P. (pere). Effect of the nanoparticles on the structure and crystallization of amorphous silicon thin films produced by rf glow discharge. _Journal of Materials Research_. 1998. Vol. 13, núm. 9, pàgs. 2476-2479. [consulta: 19 de febrer de 2026]. ISSN: 0884-2914. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/18204]