Vilà i Arbonès, Anna MariaPeiró Martínez, FranciscaCornet i Calveras, AlbertMorante i Lleonart, Joan Ramon2015-05-082015-05-0819970366-3175https://hdl.handle.net/2445/65455Se ha analizado por microscopía electrónica en transmisión (TEM) la estructura de transistores HEMT basados en un pozo cuántico tensionado de InGaAs/InAlAs crecido sobre un sustrato {111} de InP. Se han observado dislocaciones filiformes y defectos planares que cruzan la capa superior hacia la superficie, así como maclas paralelas a la interficie y grandes complejos defectivos en forma de V que se nuclean unos pocos nanometres por encima de la interficie entre el pozo cuántico y la capa superior que lo confina. La estructura de los defectos es muy diferente de la observada en heteroestructuras similares crecidas sobre sustratos {100}, hecho que sugiere que hay que tener en cuenta consideraciones sobre el proceso mismo de nucleación de los defectos junto con las convencionales relacionadas con el desajuste de redes.4 p.application/pdfspacc-by-nc (c) Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC). Sociedad Española de Ceramica y Vidrio, 1997http://creativecommons.org/licenses/by-nc/3.0/esPous quànticsQuantum wellsinfo:eu-repo/semantics/article1180492015-05-08info:eu-repo/semantics/openAccess