Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/2445/65410
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Pérez Rodríguez, Alejandro | - |
dc.contributor.author | Romano Rodríguez, Albert | - |
dc.contributor.author | Serre, Christophe | - |
dc.contributor.author | Calvo Barrio, Lorenzo | - |
dc.contributor.author | Cabezas, R. | - |
dc.contributor.author | Morante i Lleonart, Joan Ramon | - |
dc.date.accessioned | 2015-05-06T16:12:49Z | - |
dc.date.available | 2015-05-06T16:12:49Z | - |
dc.date.issued | 1997 | - |
dc.identifier.issn | 0366-3175 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2445/65410 | - |
dc.description.abstract | En este trabajo se investiga la síntesis de estructuras SiC/Si mediante implantación iónica de carbono en Si. Las implantaciones se han realizado a energías entre 25 y 300 keV y las dosis en el rango lO^^ylO^^ cm , manteniendo el substrato a temperatura ambiente o 500°C. Algunas estructuras han sido recocidas a 1150°C. Los resultados indican que implantando a temperatura ambiente se forma una capa de SiC amorfa y de composición gradual, que recristaliza formando precipitados de ß-SiC con orientaciones aleatorias después del recocido. Además se forma un capa superficial rica en carbono, debida a la difusión del carbono hacia la superficie durante la implantación, y que desaparece con el recocido. Implantando a 500°C se forma directamente una capa con una muy alta densidad de precipitados de ß-SiC orientados preferencialmente con la matriz de silicio. Dada la estabilidad térmica y química de dicha capa se han realizado membranas de SiC mediante técnicas fotolitográficas y ataque químico selectivo, cuya rugosidad superficial es inferior a 6 nm. Estas membranas muestran unos gradientes de tensiones residuales, que prácticamente desaparecen después del recocido. Los resultados confirman la potencialidad de la implantación iónica para la formación de estructuras microme-cánicas de SiC sobre Si. | - |
dc.format.extent | 5 p. | - |
dc.format.mimetype | application/pdf | - |
dc.language.iso | spa | - |
dc.publisher | Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC) | - |
dc.relation.isformatof | Reproducció del document publicat a: http://boletines.secv.es/areas/home.php?id=36 | - |
dc.relation.ispartof | Boletin de la Sociedad Española de Ceramica y Vidrio, 1997, vol. 36, num. 3, p. 316-320 | - |
dc.rights | cc-by-nc (c) Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC). Sociedad Española de Ceramica y Vidrio, 1997 | - |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc/3.0/es | - |
dc.source | Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica) | - |
dc.subject.classification | Implantació d'ions | - |
dc.subject.classification | Carbur de silici | - |
dc.subject.classification | Microestructura | - |
dc.subject.other | Ion implantation | - |
dc.subject.other | Silicon carbide | - |
dc.subject.other | Microstructure | - |
dc.title | Síntesis de capas de SiC en substrato de Si mediante implantación iónica | - |
dc.type | info:eu-repo/semantics/article | - |
dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion | - |
dc.identifier.idgrec | 116196 | - |
dc.date.updated | 2015-05-06T16:12:49Z | - |
dc.rights.accessRights | info:eu-repo/semantics/openAccess | - |
Appears in Collections: | Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica) |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
116196.pdf | 1.04 MB | Adobe PDF | View/Open |
This item is licensed under a Creative Commons License