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http://hdl.handle.net/2445/65455Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Vilà i Arbonès, Anna Maria | - |
| dc.contributor.author | Peiró Martínez, Francisca | - |
| dc.contributor.author | Cornet i Calveras, Albert | - |
| dc.contributor.author | Morante i Lleonart, Joan Ramon | - |
| dc.date.accessioned | 2015-05-08T10:26:13Z | - |
| dc.date.available | 2015-05-08T10:26:13Z | - |
| dc.date.issued | 1997 | - |
| dc.identifier.issn | 0366-3175 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2445/65455 | - |
| dc.description.abstract | Se ha analizado por microscopía electrónica en transmisión (TEM) la estructura de transistores HEMT basados en un pozo cuántico tensionado de InGaAs/InAlAs crecido sobre un sustrato {111} de InP. Se han observado dislocaciones filiformes y defectos planares que cruzan la capa superior hacia la superficie, así como maclas paralelas a la interficie y grandes complejos defectivos en forma de V que se nuclean unos pocos nanometres por encima de la interficie entre el pozo cuántico y la capa superior que lo confina. La estructura de los defectos es muy diferente de la observada en heteroestructuras similares crecidas sobre sustratos {100}, hecho que sugiere que hay que tener en cuenta consideraciones sobre el proceso mismo de nucleación de los defectos junto con las convencionales relacionadas con el desajuste de redes. | - |
| dc.format.extent | 4 p. | - |
| dc.format.mimetype | application/pdf | - |
| dc.language.iso | spa | - |
| dc.publisher | Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC) | - |
| dc.relation.isformatof | Reproducció del document publicat a: http://boletines.secv.es/areas/home.php?id=36 | - |
| dc.relation.ispartof | Boletin de la Sociedad Española de Ceramica y Vidrio, 1997, vol. 36, num. 3, p. 275-278 | - |
| dc.rights | cc-by-nc (c) Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC). Sociedad Española de Ceramica y Vidrio, 1997 | - |
| dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc/3.0/es | - |
| dc.source | Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica) | - |
| dc.subject.classification | Pous quàntics | - |
| dc.subject.other | Quantum wells | - |
| dc.title | Caracterización estructural de capas epitaxiadas de InGaAs/InAlAs crecidas sobre substratos (111) de InP | - |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/article | - |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion | - |
| dc.identifier.idgrec | 118049 | - |
| dc.date.updated | 2015-05-08T10:26:13Z | - |
| dc.rights.accessRights | info:eu-repo/semantics/openAccess | - |
| Appears in Collections: | Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica) | |
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| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
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