Carregant...
Fitxers
Tipus de document
ArticleVersió
Versió acceptadaData de publicació
Tots els drets reservats
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/124987
Simulation of STEM-HAADF image contrast of Ruddlesden-Popper faulted LaNiO<sub>3</sub> thin films
Títol de la revista
Director/Tutor
ISSN de la revista
Títol del volum
Recurs relacionat
Resum
LaNiO3 (LNO) thin films are widely used as electrode materials. Yet, their properties greatly depend on such parameters as strain state and defect density. In this work we present a detailed structural characterization of epitaxial LNO thin films grown on LaAlO3(001). Based on scanning transmission electron microscope - high-angle annular darkfield imaging (STEM-HAADF) contrast analysis and image simulations, Ruddlesden-Popper faulted configurations, with 1/2a<111> relative displacement of defect free perovskite blocks, are atomically modeled and simulated to disentangle the variation of Z-contrast in the experimental images
Matèries
Matèries (anglès)
Citació
Citació
COLL BENEJAM, Catalina, LÓPEZ CONESA, Lluís, REBLED, J. m. (josé manuel), MAGÉN, César, SÁNCHEZ BARRERA, Florencio, FONTCUBERTA I GRIÑÓ, Josep, ESTRADÉ ALBIOL, Sònia, PEIRÓ MARTÍNEZ, Francisca. Simulation of STEM-HAADF image contrast of Ruddlesden-Popper faulted LaNiO<sub>3</sub> thin films. _Journal of Physical Chemistry C_. 2017. Vol. 121, núm. 17, pàgs. 9300-9304. [consulta: 14 de febrer de 2026]. ISSN: 1932-7447. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/124987]