Amb motiu del tancament d'estiu, la validació de documents es reprendrà a partir del 28 d'agost de 2026. Disculpeu les molèsties.
Con motivo del cierre de verano, la validación de documentos se reanudará a partir del 28 de agosto de 2026. Disculpad las molestias
Due to the summer closure, document validation will resume starting August 28, 2026. We apologize for any inconvenience.

Tipus de document

Article

Versió

Versió acceptada

Data de publicació

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/124987

Simulation of STEM-HAADF image contrast of Ruddlesden-Popper faulted LaNiO<sub>3</sub> thin films

Títol de la revista

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Resum

LaNiO3 (LNO) thin films are widely used as electrode materials. Yet, their properties greatly depend on such parameters as strain state and defect density. In this work we present a detailed structural characterization of epitaxial LNO thin films grown on LaAlO3(001). Based on scanning transmission electron microscope - high-angle annular darkfield imaging (STEM-HAADF) contrast analysis and image simulations, Ruddlesden-Popper faulted configurations, with 1/2a<111> relative displacement of defect free perovskite blocks, are atomically modeled and simulated to disentangle the variation of Z-contrast in the experimental images

Matèries (anglès)

Citació

Citació

COLL BENEJAM, Catalina, et al. Simulation of STEM-HAADF image contrast of Ruddlesden-Popper faulted LaNiO3 thin films. Journal of Physical Chemistry C. 2017. Vol. 121, num. 17, pags. 9300-9304. ISSN 1932-7447. [consulted: 13 of August of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/124987

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre