Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/2445/167362
Title: | Defectes en capes epitaxials d'arseniür de gal.li sobre silici |
Author: | Vilà i Arbonès, Anna Maria Herms Berenguer, Atilà Cornet i Calveras, Albert Morante i Lleonart, Joan Ramon |
Keywords: | Silici Circuits electrònics Silicon Electronic circuits |
Issue Date: | 1992 |
Publisher: | Societat Catalana de Física |
Abstract: | Un dels principals objectius de la recerca en electrònica és millorar les prestacions de velocitat dels equips. Als circuits basats en dispositius fabricats amb silici, l'augment de la velocitat de funcionament s'ha aconseguit mitjançant la reducció de les dimensions dels dispositius, és a dir, la disminució del camí que han de recórrer els portadors. Aquesta reducció ha estat possible gràcies als avenços en les tecnologies de creixement i processament dels materials, però encara que el ritme de progrés en aquestes àrees ha estat constant en els darrers anys en algunes àrees està proper a la saturació imposada per les pròpies limitacions intrínseques del material. En conseqüència, per tal de fer un salt qualitatiu en l'augment de velocitat, s'ha enfocat la recerca darrerament a aconseguir materials amb majors velocitats inherents de portadors. |
Note: | Reproducció del document publicat a: http://revistes.iec.cat/index.php/RdF/article/viewFile/4691 |
It is part of: | Revista de Física, 1992, num. 3, p. 15-23 |
URI: | http://hdl.handle.net/2445/167362 |
ISSN: | 1131-5326 |
Appears in Collections: | Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica) |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
087815.pdf | 6.91 MB | Adobe PDF | View/Open |
This item is licensed under a Creative Commons License