El CRAI romandrà tancat del 24 de desembre de 2025 al 6 de gener de 2026. La validació de documents es reprendrà a partir del 7 de gener de 2026.
El CRAI permanecerá cerrado del 24 de diciembre de 2025 al 6 de enero de 2026. La validación de documentos se reanudará a partir del 7 de enero de 2026.
From 2025-12-24 to 2026-01-06, the CRAI remain closed and the documents will be validated from 2026-01-07.
 
Miniatura

Fitxers

004363.pdf (493.76 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

1986

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/32230

Spectroscopic ellipsometry study of the In1-x Gax Asy P1-y / InP Heterojunctions grown by metalorganic chemical-vapor deposition

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1063/1.337603

Resum

The dielectric functions of InP, In0.53Ga0.47As, and In0.75Ga0.25As0.5P0.5 epitaxial layers have been measured using a polarization modulation spectroscopic ellipsometer in the 1.5 to 5.3 eV region. The oxide removal procedure has been carefully checked by comparing spectroscopic ellipsometry and x ray photoelectron spectroscopy measurements. These reference data have been used to investigate the structural nature of metalorganic chemical vapor deposition grown In0.53Ga0.47As/InP and In0.75Ga0.25As0.5P0.5/InP heterojunctions, currently used for photodiodes and laser diodes. The sharpness of the interfaces has been systematically compared for the two types of heterojunctions: In1 xGaxAsy/InP and InP/In1 xGaxAsyP1 y. The sharpest interface is obtained for InP growth on In0.75Ga0.25As0.5P0.5 where the interface region is estimated to be (10±10) Å thick. The importance of performing in situ SE measurements is emphasized.

Matèries

Pel·lícules fines, El·lipsometria

Matèries (anglès)

Thin films, Ellipsometry

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física Aplicada)

Citació

DRÉVILLON, B., BERTRÁN SERRA, Enric, ALNOT, P., OLIVIER, J., RAZEGHI, M.. Spectroscopic ellipsometry study of the In1-x Gax Asy P1-y / InP Heterojunctions grown by metalorganic chemical-vapor deposition. _Journal of Applied Physics_. 1986. Vol. 60, núm. 10, pàgs. 3512-3518. [consulta: 26 de desembre de 2025]. ISSN: 0021-8979. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/32230]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre