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http://hdl.handle.net/2445/65455| Title: | Caracterización estructural de capas epitaxiadas de InGaAs/InAlAs crecidas sobre substratos (111) de InP |
| Author: | Vilà i Arbonès, Anna Maria Peiró Martínez, Francisca Cornet i Calveras, Albert Morante i Lleonart, Joan Ramon |
| Keywords: | Pous quàntics Quantum wells |
| Issue Date: | 1997 |
| Publisher: | Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC) |
| Abstract: | Se ha analizado por microscopía electrónica en transmisión (TEM) la estructura de transistores HEMT basados en un pozo cuántico tensionado de InGaAs/InAlAs crecido sobre un sustrato {111} de InP. Se han observado dislocaciones filiformes y defectos planares que cruzan la capa superior hacia la superficie, así como maclas paralelas a la interficie y grandes complejos defectivos en forma de V que se nuclean unos pocos nanometres por encima de la interficie entre el pozo cuántico y la capa superior que lo confina. La estructura de los defectos es muy diferente de la observada en heteroestructuras similares crecidas sobre sustratos {100}, hecho que sugiere que hay que tener en cuenta consideraciones sobre el proceso mismo de nucleación de los defectos junto con las convencionales relacionadas con el desajuste de redes. |
| Note: | Reproducció del document publicat a: http://boletines.secv.es/areas/home.php?id=36 |
| It is part of: | Boletin de la Sociedad Española de Ceramica y Vidrio, 1997, vol. 36, num. 3, p. 275-278 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2445/65455 |
| ISSN: | 0366-3175 |
| Appears in Collections: | Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica) |
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