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Title: Caracterización estructural de capas epitaxiadas de InGaAs/InAlAs crecidas sobre substratos (111) de InP
Author: Vilà i Arbonès, Anna Maria
Peiró, F.
Cornet i Calveras, Albert
Morante i Lleonart, Joan Ramon
Keywords: Pous quàntics
Quantum wells
Issue Date: 1997
Publisher: Consejo Superior de Investigaciones Científicas (CSIC)
Abstract: Se ha analizado por microscopía electrónica en transmisión (TEM) la estructura de transistores HEMT basados en un pozo cuántico tensionado de InGaAs/InAlAs crecido sobre un sustrato {111} de InP. Se han observado dislocaciones filiformes y defectos planares que cruzan la capa superior hacia la superficie, así como maclas paralelas a la interficie y grandes complejos defectivos en forma de V que se nuclean unos pocos nanometres por encima de la interficie entre el pozo cuántico y la capa superior que lo confina. La estructura de los defectos es muy diferente de la observada en heteroestructuras similares crecidas sobre sustratos {100}, hecho que sugiere que hay que tener en cuenta consideraciones sobre el proceso mismo de nucleación de los defectos junto con las convencionales relacionadas con el desajuste de redes.
Note: Reproducció del document publicat a: http://boletines.secv.es/areas/home.php?id=36
It is part of: Boletin de la Sociedad Española de Ceramica y Vidrio, 1997, vol. 36, num. 3, p. 275-278
URI: http://hdl.handle.net/2445/65455
ISSN: 0366-3175
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