Fitxers

143475.pdf (190.19 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

1998

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/22078

Extension of the impedance field method to the noise analysis of a semiconductor junction: Analytical approach

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1063/1.367023

Resum

We present an analytical procedure to perform the local noise analysis of a semiconductor junction when both the drift and diffusive parts of the current are important. The method takes into account space-inhomogeneous and hot-carriers conditions in the framework of the drift-diffusion model, and it can be effectively applied to the local noise analysis of different devices: n+nn+ diodes, Schottky barrier diodes, field-effect transistors, etc., operating under strongly inhomogeneous distributions of the electric field and charge concentration

Matèries

Semiconductors, Soroll electrònic, Díodes, Transistors, Camps elèctrics, Microelectrònica

Matèries (anglès)

Semiconductors, Electronic noise, Diodes, Transistors, Electric fields, Microelectronics

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física de la Matèria Condensada)
Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica)

Citació

GOMILA LLUCH, Gabriel, et al. Extension of the impedance field method to the noise analysis of a semiconductor junction: Analytical approach. Journal of Applied Physics. 1998. Vol. 83, num. 5, pags. 2610-2618. ISSN 0021-8979. [consulted: 17 of May of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/22078

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre