Fitxers

2955.pdf (312.95 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

1987-03

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/24982

Rheotaxial growth of CuInSe2 thin films

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1116/1.574097

Resum

CuInSe2 thin films were deposited onto glass and liquid¿indium¿coated glass substrates by coevaporation of copper, indium, and selenium. The morphology, composition, and crystalline properties have been studied in relation to the deposition process parameters. The deposition rate and the grain size are higher in films grown on liquid indium than on glass and depend on the indium film thickness. Films grown on indium do not show the same crystalline phases of films grown on glass, and in order to obtain films free of spurious phases the Cu fluxes must be increased.

Matèries

Pel·lícules fines, Indi (Metall), Semiconductors, Cèl·lules fotovoltaiques

Matèries (anglès)

Thin films, Indium, Semiconductors, Photovoltaic cells

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física Aplicada)

Citació

VARELA FERNÁNDEZ, Manuel, et al. Rheotaxial growth of CuInSe2 thin films. Journal of Vacuum Science Technology A-Vacuum Surfaces and Films. 1987. Vol. 5, num. 169-173. ISSN 0734-2101. [consulted: 28 of May of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/24982

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre