Carregant...
Fitxers
Tipus de document
ArticleVersió
Versió publicadaData de publicació
Tots els drets reservats
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/32211
Blue-green to near-IR switching electroluminescence from Si-rich silicon oxide/nitride bilayer structures
Títol de la revista
Director/Tutor
ISSN de la revista
Títol del volum
Recurs relacionat
Resum
Blue green to near-IR switching electroluminescence (EL) has been achieved in a metal-oxide-semiconductor light emitting device, where the dielectric has been replaced by a Si-rich silicon oxide/nitride bilayer structure. To form Si nanostructures, the layers were implanted with Si ions at high energy, resulting in a Si excess of 19%, and subsequently annealed at 1000 °C. Transmission electron microscopy and EL studies allowed ascribing the blue-green emission to the Si nitride related defects and the near-IR band with the emission of the Si-nanoclusters embedded into the SiO2 layer. Charge transport analysis is reported and allows for identifying the origin of this twowavelength switching effect.
Matèries (anglès)
Citació
Citació
BERENCÉN RAMÍREZ, Yonder antonio, JAMBOIS, Olivier, RAMÍREZ RAMÍREZ, Joan manel, REBLED, J. m. (josé manuel), ESTRADÉ ALBIOL, Sònia, PEIRÓ MARTÍNEZ, Francisca, DOMÍNGUEZ, Carlos (domínguez horna), RODRÍGUEZ, J. a., GARRIDO FERNÁNDEZ, Blas. Blue-green to near-IR switching electroluminescence from Si-rich silicon oxide/nitride bilayer structures. _Optics Letters_. 2011. Vol. 36, núm. 14, pàgs. 2617-2619. [consulta: 28 de gener de 2026]. ISSN: 0146-9592. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/32211]