Miniatura

Fitxers

071215.pdf (991.3 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

1993

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/32222

Fine speckle contrast in InGaAs/InP systems: Influence of layer thickness, missmatch, and growing temperature

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1063/1.352815

Resum

This work is focused on the study of the fine speckle contrast present in planar view observations of matched and mismatched InGaAs layers grown by molecular beam epitaxy on InP substrates. Our results provide experimental evidence of the evolution of this fine structure with the mismatch, layer thickness, and growth temperature. The correlation of the influence of all these parameters on the appearance of the contrast modulation points to the development of the fine structure during the growth. Moreover, as growth proceeds, this structure shows a dynamic behavior which depends on the intrinsic layer substrate stress.

Matèries

Pel·lícules fines, Feixos moleculars, Nanotecnologia

Matèries (anglès)

Thin films, Molecular beams, Nanotechnology

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica)

Citació

PEIRÓ MARTÍNEZ, Francisca, CORNET I CALVERAS, Albert, HERMS BERENGUER, Atilà, MORANTE I LLEONART, Joan ramon, CLARK, S. a., WILLIAMS, R. h.. Fine speckle contrast in InGaAs/InP systems: Influence of layer thickness, missmatch, and growing temperature. _Journal of Applied Physics_. 1993. Vol. 73, núm. 9, pàgs. 4319-4323. [consulta: 22 de gener de 2026]. ISSN: 0021-8979. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/32222]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre