Carregant...
Fitxers
Tipus de document
ArticleVersió
Versió publicadaData de publicació
Llicència de publicació
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/195363
Polymeric interlayer in CdS-free Electron-Selective Contact for Sb2Se3 thin-film solar cells
Títol de la revista
Director/Tutor
ISSN de la revista
Títol del volum
Recurs relacionat
Resum
High open-circuit voltage in Sb2Se3 thin-film solar cells is a key challenge in the development of earth-abundant photovoltaic devices. CdS selective layers have been used as the standard electron contact in this technology. Long-term scalability issues due to cadmium toxicity and environmental impact are of great concern. In this study, we propose a ZnO-based buffer layer with a polymer-film-modified top interface to replace CdS in Sb2Se3 photovoltaic devices. The branched polyethylenimine layer at the ZnO and transparent electrode interface enhanced the performance of Sb2Se3 solar cells. An important increase in open-circuit voltage from 243 mV to 344 mV and a maximum efficiency of 2.4% was achieved. This study attempts to establish a relation between the use of conjugated polyelectrolyte thin films in chalcogenide photovoltaics and the resulting device improvements.
Matèries
Matèries (anglès)
Citació
Col·leccions
Citació
ROVIRA, David, ROS COSTALS, Eloi, TOM, Thomas, JIMÉNEZ, Maykel, ASENSI LÓPEZ, José miguel, VOZ SÁNCHEZ, Cristóbal, LÓPEZ VIDRIER, Julià, PUIGDOLLERS I GONZÁLEZ, Joaquim, BERTOMEU I BALAGUERÓ, Joan, SAUCEDO SILVA, Edgardo. Polymeric interlayer in CdS-free Electron-Selective Contact for Sb2Se3 thin-film solar cells. _International Journal of Molecular Sciences_. 2023. Vol. 24, núm. 4, pàgs. 3088-1-3088-17. [consulta: 21 de gener de 2026]. ISSN: 1661-6596. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/195363]