Miniatura

Fitxers

del Pozo Bueno Daniel.pdf (7.34 MB)

Tipus de document

Treball de fi de grau

Data de publicació

2018-01

Llicència de publicació

cc-by-nc-nd (c) del Pozo, 2018
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/124533

Structural characterization of GaN nanowires using TEM

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

Resum

In the present study, gallium nitride (GaN) nanowires fabricated by top-down etching are investigated by transmission electron microscopy (TEM). The study starts with the lamella preparation using the lift-out technique in a focused ion beam (FIB) instrument. Subsequently, different observation modes of the TEM are applied to asses the quality of the growth and identify the crystal structure. Selected area diffraction mode (SAD) is used to obtain the diffraction patterns, which are appropriate to identify the crystal structure. Then, two-beam conditions are carried out to find the crystallographic defects and, Finally, through the high resolution mode, the phase contrast images are used to achieve atomic resolution.

Descripció

Treballs Finals de Grau de Física, Facultat de Física, Universitat de Barcelona, Curs: 2018, Tutores: Gemma Martín, Francesca Peiro

Matèries

Nitrur de gal·li, Microscòpia electrònica de transmissió, Treballs de fi de grau

Matèries (anglès)

Gallium nitride, Transmission electron microscopy, Bachelor's theses

Citació

Col·leccions

Treballs Finals de Grau (TFG) - Física

Citació

POZO BUENO, Daniel del. Structural characterization of GaN nanowires using TEM. [consulta: 27 de gener de 2026]. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/124533]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre