Miniatura

Fitxers

113130.pdf (518.37 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió acceptada

Data de publicació

1997

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/47604

Infrared characterization of a-Si:H/a-Si1-xCx:H interfaces

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1016/S0169-4332(96)00600-9

Resum

Infrared spectroscopy was used to characterize three series of a-Si:H/a-Si1-xCx:H multilayers in which their geometrical parameters were varied. The infrared active vibrational groups in their spectra and the interference fringes in their absorption-free zone were studied to analyze the interfaces and the changes that are produced in very thin layers. Our results show that hydrogen is bonded to silicon only in monohydride groups. No additional hydrogen could be detected at these interfaces. The deposition of very thin a-Si1-xCx:H layers seems to affect their porous structure, making them denser.

Matèries

Espectroscòpia infraroja, Pel·lícules fines, Hidrogen, Semiconductors amorfs, Porositat

Matèries (anglès)

Infrared spectroscopy, Thin films, Hydrogen, Amorphous semiconductors, Porosity

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física Aplicada)

Citació

BERTOMEU I BALAGUERÓ, Joan, PUIGDOLLERS I GONZÁLEZ, Joaquim, ASENSI LÓPEZ, José miguel, ANDREU I BATALLÉ, Jordi. Infrared characterization of a-Si:H/a-Si1-xCx:H interfaces. _Applied Surface Science_. 1997. Vol. 108, núm. 2, pàgs. 211-217. [consulta: 29 de gener de 2026]. ISSN: 0169-4332. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/47604]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre