Carregant...
Fitxers
Tipus de document
ArticleVersió
Versió publicadaData de publicació
Tots els drets reservats
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/24797
Competitive evolution of the fine contrast modulation and CuPt ordering in InGaP/GaAs layers
Títol de la revista
Director/Tutor
ISSN de la revista
Títol del volum
Recurs relacionat
Resum
We use transmission electron microscopy to characterize the morphology of InGaP epitaxial layers grown by metal‐organic vapor‐phase epitaxy over misoriented GaAs (001) substrates, with a cutoff angle in a range from 0° to 25°. The occurrence of phase separation and CuPt‐type ordered superstructures has been observed. The most ordered configuration has been found to appear in layers grown on 2° off substrates, and the strength of order decreases with increasing the misorientation angle beyond α=2°. Conversely, whereas the phase separation is less evident in the layer grown at 2°, the sample grown with a misorientation of 25° exhibits the most phase separated configuration. The completion between these two phenomena is discussed depending on the misorientation angle.
Matèries (anglès)
Citació
Citació
DIÉGUEZ BARRIENTOS, Àngel, PEIRÓ MARTÍNEZ, Francisca, CORNET I CALVERAS, Albert, MORANTE I LLEONART, Joan ramon, ALSINA, F., PASCUAL GAINZA, Jordi. Competitive evolution of the fine contrast modulation and CuPt ordering in InGaP/GaAs layers. _Journal of Applied Physics_. 1996. Vol. 80, núm. 7, pàgs. 3798-3803. [consulta: 25 de febrer de 2026]. ISSN: 0021-8979. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/24797]