Miniatura

Fitxers

512021.pdf (127.92 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

2004

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/10534

Design of electron band pass filters for electrically biased finite superlattices

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.69.115309

Resum

We design optimal band pass filters for electrons in semiconductor heterostructures, under a uniform applied electric field. The inner cells are chosen to provide a desired transmission window. The outer cells are then designed to transform purely incoming or outgoing waves into Bloch states of the inner cells. The transfer matrix is interpreted as a conformal mapping in the complex plane, which allows us to write constraints on the outer cell parameters, from which physically useful values can be obtained.

Matèries

Semiconductors, Transport d'electrons

Matèries (anglès)

Semiconductors, Electron transport

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física Quàntica i Astrofísica)

Citació

MARTORELL DOMENECH, Juan, SPRUNG, Donald w. l., MOROZOV, Gregory v.. Design of electron band pass filters for electrically biased finite superlattices. _Physical Review B_. 2003. Vol. 69, núm. 11, pàgs. 115309(1)-115309(10). [consulta: 20 de gener de 2026]. ISSN: 0163-1829. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/10534]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre