Miniatura

Fitxers

114376.pdf (507.38 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió acceptada

Data de publicació

1997

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/98751

Stress measurements in polycrystalline silicon films grown by hot-wire chemical vapor deposition

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1016/S0167-577X(96)00197-8

Resum

Stress measurements were carried out by the X-ray powder diffraction technique known as the 'sin 2? method' for polycrystalline silicon films grown by hot-wire chemical vapor deposition. Results show homogeneous biaxial stresses ranging from 110 MPa (tensile) to -210 MPa (compressive). The results are interpreted in terms of the dependence on the growth parameters and post-deposition oxidation. The deposition parameters that could be expected to give unstressed films by this technique, which are shifted to lower temperatures compared to other deposition methods, and the ability to measure stresses in randomly oriented polycrystalline silicon layers by this technique are shown in this paper.

Matèries

Deposició química en fase vapor, Silici, Cèl·lules solars

Matèries (anglès)

Chemical vapor deposition, Silicon, Solar cells

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física Aplicada)

Citació

PEIRÓ, D., BERTOMEU I BALAGUERÓ, Joan, ARRANDO COMAS, Francesc, ANDREU I BATALLÉ, Jordi. Stress measurements in polycrystalline silicon films grown by hot-wire chemical vapor deposition. _Materials Letters_. 1997. Vol. 30, núm. 2-3, pàgs. 239-243. [consulta: 20 de gener de 2026]. ISSN: 0167-577X. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/98751]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre