El pròxim dijous 7 de maig, el Dipòsit Digital no estarà operatiu de 8:00 a 12:00 h per tasques d'actualització. Disculpeu les molèsties.
El próximo jueves 7 de mayo, el Dipòsit Digital no estará operativo de 8:00 a 12:00 h debido a tareas de actualización. Disculpen las molestias.
Our digital repository will be temporarily unavailable on Thursday, May 7th, from 8:00 a.m. to 12:00 p.m. due to a system update.
 
Carregant...
Miniatura

Tipus de document

Article

Versió

Versió acceptada

Data de publicació

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/98751

Stress measurements in polycrystalline silicon films grown by hot-wire chemical vapor deposition

Títol de la revista

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Resum

Stress measurements were carried out by the X-ray powder diffraction technique known as the 'sin 2? method' for polycrystalline silicon films grown by hot-wire chemical vapor deposition. Results show homogeneous biaxial stresses ranging from 110 MPa (tensile) to -210 MPa (compressive). The results are interpreted in terms of the dependence on the growth parameters and post-deposition oxidation. The deposition parameters that could be expected to give unstressed films by this technique, which are shifted to lower temperatures compared to other deposition methods, and the ability to measure stresses in randomly oriented polycrystalline silicon layers by this technique are shown in this paper.

Citació

Citació

PEIRÓ, D., BERTOMEU I BALAGUERÓ, Joan, ARRANDO COMAS, Francesc, ANDREU I BATALLÉ, Jordi. Stress measurements in polycrystalline silicon films grown by hot-wire chemical vapor deposition. _Materials Letters_. 1997. Vol. 30, núm. 2-3, pàgs. 239-243. [consulta: 6 de maig de 2026]. ISSN: 0167-577X. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/98751]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre