Miniatura

Fitxers

549576.pdf (865.51 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

2006

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/13171

Electric-field control of exchange bias in multiferroic epitaxial heterostructures

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.97.227201

Resum

The magnetic exchange between epitaxial thin films of the multiferroic (antiferromagnetic and ferroelectric) hexagonal YMnO3 oxide and a soft ferromagnetic (FM) layer is used to couple the magnetic response of the FM layer to the magnetic state of the antiferromagnetic one. We will show that biasing the ferroelectric YMnO3 layer by an electric field allows control of the magnetic exchange bias and subsequently the magnetotransport properties of the FM layer. This finding may contribute to paving the way towards a new generation of electric-field controlled spintronic devices.

Matèries

Electrònica quàntica, Semiconductors, Microelectrònica

Matèries (anglès)

Qunatum electronics, Semiconductors, Microelectronics

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física Aplicada)

Citació

LAUKHIN, Vladimir, SKUMRYEV, Vassil hristov, MARTÍ, X., HRABOVSKY, D., SÁNCHEZ BARRERA, Florencio, GARCÍA-CUENCA VARONA, María victoria, FERRATER MARTORELL, Cèsar, VARELA FERNÁNDEZ, Manuel, LÜDERS, R., BOBO, J. f., FONTCUBERTA I GRIÑÓ, Josep. Electric-field control of exchange bias in multiferroic epitaxial heterostructures. _Physical Review Letters_. 2006. Vol. 97, núm. 22, pàgs. 227201-1-227201-4. [consulta: 23 de gener de 2026]. ISSN: 0031-9007. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/13171]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre