Miniatura

Fitxers

599785.pdf (415.88 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió acceptada

Data de publicació

2011

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/50485

Resistance Switching in Transparent Magnetic MgO Films

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1016/j.ssc.2011.10.009

Resum

We have studied the abrupt and hysteretic changes of resistance in MgO-based capacitor devices. The switching behavior is discussed in terms of the formation and rupture of conduction filaments due to the migration of structural defects in the electric field, together with the redox events which affects the mobile carriers. The results presented in this paper suggest that MgO transparent films combining ferromagnetism and multilevel switching characteristics might pave the way for a new method for spintronic multibit data storage.

Matèries

Òxid de magnesi, Pel·lícules fines, Espintrònica, Ferromagnetisme, Matèria condensada

Matèries (anglès)

Magnesium oxide, Thin films, Spintronics, Ferromagnetism, Condensed matter

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física Aplicada)

Citació

JAMBOIS, Olivier, CARRERAS SEGUÍ, Paz, ANTONY, Aldrin, BERTOMEU I BALAGUERÓ, Joan, MARTÍNEZ BOUBETA, José carlos. Resistance Switching in Transparent Magnetic MgO Films. _Solid State Communications_. 2011. Vol. 151, núm. 24, pàgs. 1856-1859. [consulta: 21 de gener de 2026]. ISSN: 0038-1098. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/50485]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre