Miniatura

Fitxers

Bonet-Isidro-Ferran.pdf (2.81 MB)

Tipus de document

Treball de fi de màster

Data de publicació

2018-07

Llicència de publicació

cc-by-nc-nd (c) Bonet, 2018
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/126208

Effect of rare earth on ZnO-based memristors

Títol de la revista

Autors

ISSN de la revista

Títol del volum

Resum

Memristors are electronic devices that present resistive switching. Their main application is the fabrication of digital memories. In this work Tb doped-ZnO based memristors are characterized and their properties are compared to the ones of undoped ZnO devices. The study shows that it is possible to obtain switching in doped ZnO-based devices at lower currents. Devices doped with rare earth ions also exhibit light emission, while preserving their resistive switching properties. This was not observed in the undoped devices and is an important advantage for developing optically read digital memories. Finally, the electrical conduction mechanisms present in the memristors are also analyzed

Descripció

Màster en Nanociència i Nanotecnologia, Facultat de Física, Universitat de Barcelona, Curs: 2017-2018. Tutors: Sergi Hernández , Oriol Blázquez

Matèries

Nanoelectrònica, Circuits electrònics, Teoria de la commutació, Treballs de fi de màster

Matèries (anglès)

Nanoelectronics, Electronic circuits, Switching theory, Master's theses

Citació

Col·leccions

Màster Oficial - Nanociència i Nanotecnologia

Citació

BONET ISIDRO, Ferran. Effect of rare earth on ZnO-based memristors. [consulta: 3 de desembre de 2025]. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/126208]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre