Amb motiu del tancament d'estiu, la validació de documents es reprendrà a partir del 28 d'agost de 2026. Disculpeu les molèsties.
Con motivo del cierre de verano, la validación de documentos se reanudará a partir del 28 de agosto de 2026. Disculpad las molestias
Due to the summer closure, document validation will resume starting August 28, 2026. We apologize for any inconvenience.

Fitxers

600582.pdf (537.03 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió acceptada

Data de publicació

2012-03-13

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/128618

Erbium emission in MOS light emitting devices: from energy transfer to direct impact excitation

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

https://doi.org/10.1088/0957-4484/23/12/125203

Resum

The electroluminescence (EL) at 1.54 µm of metal-oxide-semiconductor (MOS) devices with Er3+ ions embedded in the silicon-rich silicon oxide (SRSO) layer has been investigated under different polarization conditions and compared with that of erbium doped SiO2 layers. EL time-resolved measurements allowed us to distinguish between two different excitation mechanisms responsible for the Er3+ emission under an alternate pulsed voltage signal (APV). Energy transfer from silicon nanoclusters (Si-ncs) to Er3+ is clearly observed at low-field APV excitation. We demonstrate that sequential electron and hole injection at the edges of the pulses creates excited states in Si-ncs which upon recombination transfer their energy to Er3+ ions. On the contrary, direct impact excitation of Er3+ by hot injected carriers starts at the Fowler-Nordheim injection threshold (above 5 MV cm−1) and dominates for high-field APV excitation.

Matèries

Metall-òxid-semiconductors, Compostos de silici, Transferència d'energia

Matèries (anglès)

Metal oxide semiconductors, Silicon compounds, Energy transfer

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica)
Publicacions de projectes de recerca finançats per la UE

Citació

RAMÍREZ RAMÍREZ, Joan Manel, et al. Erbium emission in MOS light emitting devices: from energy transfer to direct impact excitation. Nanotechnology. 2012. Vol. 23, num. 12, pags. 125203-125211. ISSN 0957-4484. [consulted: 28 of August of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/128618

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre