Miniatura

Fitxers

699912.pdf (1.14 MB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

2013

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/159771

Hysteretic control of organic conductance due to remanent magnetic fringe fields

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

https://doi.org/10.1063/1.4790141

Resum

Manipulation of the remanent (zero external magnetic field) magnetization state of a single ferromagnetic film is shown to control the room-temperature conductance of an organic semiconductor thin film deposited on top. For the organic semiconductor Alq3, the magnetic fringe fields from a multidomain remanent magnetization state of the film enhance the device conductance by several percent relative to its value for the magnetically saturated ferromagnetic film. The effect of fringe fields is insensitive to ferromagnetic film's thickness (which varies the fringe field magnitude proportionately) but sensitive to the magnetic domain's correlation length.

Matèries

Ferromagnetisme, Semiconductors orgànics, Pel·lícules fines

Matèries (anglès)

Ferromagnetism, Organic semiconductors, Thin films

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física de la Matèria Condensada)

Citació

MACIÀ BROS, Ferran, WANG, Fujian, HARMON, Nicholas, WOHLGENANNT, M., KENT, A. d., FLATTÉ, Michael e.. Hysteretic control of organic conductance due to remanent magnetic fringe fields. _Applied Physics Letters_. 2013. Vol. 102, núm. 042408. [consulta: 30 de gener de 2026]. ISSN: 0003-6951. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/159771]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre