Fitxers

881852.pdf (1.65 MB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

2024-05-07

Llicència de publicació

cc-by (c) Kapse, Samadhan, et al., 2024
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/229342

Chemical bonding and electronic properties along Group 13 metal oxides

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

https://doi.org/10.1007/s00894-024-05957-6

Resum

The present work provides a systematic theoretical analysis of the nature of the chemical bond in Al 2 O 3, Ga 2 O 3 ,and In2O3 group 13 cubic crystal structure metal oxides. The influence of the functional in the resulting band gap is assessed. The topological analysis of the electron density provides unambiguous information about the degree of ionicity along the group which is linearly correlated with the band gap values and with the cost of forming a single oxygen vacancy. Overall, this study offers a comprehensive insight into the electronic structure of metal oxides and their interrelations. This will help researchers to harness information effectively, boosting the development of novel metal oxide catalysts or innovative methodologies for their preparation.

Matèries

Estructura química, Òxids metàl·lics, Enllaços químics

Matèries (anglès)

Chemical structure, Metallic oxides, Chemical bonds

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Ciència dels Materials i Química Física)
Articles publicats en revistes (Institut de Química Teòrica i Computacional (IQTCUB))

Citació

KAPSE, Samadhan, et al. Chemical bonding and electronic properties along Group 13 metal oxides. Journal of Molecular Modeling. 2024. Vol. 30, núm. 161. ISSN 1610-2940. [consulta: 13 de maig de 2026]. Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/229342

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre