Miniatura

Fitxers

518936.pdf (126.12 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

2004-06-01

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/24810

Self-interference of charge carriers in ferromagnetic SrRuO3

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1063/1.1682785

Resum

We report a systematic study of the low-temperature electrical conductivity in a series of SrRuO3 epitaxial thin films. At relatively high temperature the films display the conventional metallic behavior. However, a well-defined resistivity minimum appears at low temperature. This temperature dependence can be well described in a weak localization scenario: the resistivity minimum arising from the competition of electronic self-interference effects and the normal metallic character. By appropriate selection of the film growth conditions, we have been able to modify the mean-free path of itinerant carriers and thus to tune the relative strength of the quantum effects. We show that data can be quantitatively described by available theoretical models.

Matèries

Ferromagnetisme, Conductivitat elèctrica, Pel·lícules fines

Matèries (anglès)

Ferromagnetism, Electric conductivity, Thin films

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física Aplicada)

Citació

HERRANZ CASABONA, Gervasi, SÁNCHEZ BARRERA, Florencio, MARTÍNEZ PEREA, Benjamin, FONTCUBERTA I GRIÑÓ, Josep, GARCÍA-CUENCA VARONA, María victoria, FERRATER MARTORELL, Cèsar, VARELA FERNÁNDEZ, Manuel. Self-interference of charge carriers in ferromagnetic SrRuO3. _Journal of Applied Physics_. 2004. Vol. 95, núm. 7213-7215. [consulta: 23 de gener de 2026]. ISSN: 0021-8979. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/24810]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre