Fitxers

627980.pdf (2.03 MB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

2013-09-09

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/46883

Intense green-yellow electroluminescence from Tb+-implanted silicon-rich silicon nitride/oxide light emitting devices

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1063/1.4820836

Resum

High optical power density of 0.5 mW/cm2, external quantum efficiency of 0.1%, and population inversion of 7% are reported from Tb+-implanted silicon-rich silicon nitride/oxide light emitting devices. Electrical and electroluminescence mechanisms in these devices were investigated. The excitation cross section for the 543 nm Tb3+ emission was estimated under electrical pumping, resulting in a value of 8.2 × 10−14 cm2, which is one order of magnitude larger than one reported for Tb3+:SiO2 light emitting devices. These results demonstrate the potentiality of Tb+-implanted silicon nitride material for the development of integrated light sources compatible with Si technology.

Matèries

Díodes, Òptica, Fotònica, Nanotecnologia, Ions, Terres rares, Sílice, Metall-òxid-semiconductors complementaris

Matèries (anglès)

Diodes, Optics, Photonics, Nanotechnology, Ions, Rare earths, Silica, Complementary metal oxide semiconductors

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica)

Citació

BERENCÉN RAMÍREZ, Yonder Antonio, et al. Intense green-yellow electroluminescence from Tb+-implanted silicon-rich silicon nitride/oxide light emitting devices. Applied Physics Letters. 2013. Vol. 103, núm. 11, pàgs. 111102-1-111102-4. ISSN 0003-6951. [consulta: 8 de maig de 2026]. Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/46883

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre