Carregant...
Fitxers
Tipus de document
ArticleVersió
Versió publicadaData de publicació
Tots els drets reservats
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/46883
Intense green-yellow electroluminescence from Tb+-implanted silicon-rich silicon nitride/oxide light emitting devices
Títol de la revista
Director/Tutor
ISSN de la revista
Títol del volum
Recurs relacionat
Resum
High optical power density of 0.5 mW/cm2, external quantum efficiency of 0.1%, and population inversion of 7% are reported from Tb+-implanted silicon-rich silicon nitride/oxide light emitting devices. Electrical and electroluminescence mechanisms in these devices were investigated. The excitation cross section for the 543 nm Tb3+ emission was estimated under electrical pumping, resulting in a value of 8.2 × 10−14 cm2, which is one order of magnitude larger than one reported for Tb3+:SiO2 light emitting devices. These results demonstrate the potentiality of Tb+-implanted silicon nitride material for the development of integrated light sources compatible with Si technology.
Matèries (anglès)
Citació
Citació
BERENCÉN RAMÍREZ, Yonder antonio, WUTZLER, R., REBOHLE, L., HILLER, Daniel, RAMÍREZ RAMÍREZ, Joan manel, RODRÍGUEZ, J. a., SKORUPA, Wolfgang, GARRIDO FERNÁNDEZ, Blas. Intense green-yellow electroluminescence from Tb+-implanted silicon-rich silicon nitride/oxide light emitting devices. _Applied Physics Letters_. 2013. Vol. 103, núm. 11, pàgs. 111102-1-111102-4. [consulta: 25 de febrer de 2026]. ISSN: 0003-6951. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/46883]