Amb motiu del tancament d'estiu, la validació de documents es reprendrà a partir del 28 d'agost de 2026. Disculpeu les molèsties.
Con motivo del cierre de verano, la validación de documentos se reanudará a partir del 28 de agosto de 2026. Disculpad las molestias
Due to the summer closure, document validation will resume starting August 28, 2026. We apologize for any inconvenience.

Fitxers

627980.pdf (2.03 MB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

2013-09-09

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/46883

Intense green-yellow electroluminescence from Tb+-implanted silicon-rich silicon nitride/oxide light emitting devices

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1063/1.4820836

Resum

High optical power density of 0.5 mW/cm2, external quantum efficiency of 0.1%, and population inversion of 7% are reported from Tb+-implanted silicon-rich silicon nitride/oxide light emitting devices. Electrical and electroluminescence mechanisms in these devices were investigated. The excitation cross section for the 543 nm Tb3+ emission was estimated under electrical pumping, resulting in a value of 8.2 × 10−14 cm2, which is one order of magnitude larger than one reported for Tb3+:SiO2 light emitting devices. These results demonstrate the potentiality of Tb+-implanted silicon nitride material for the development of integrated light sources compatible with Si technology.

Matèries

Díodes, Òptica, Fotònica, Nanotecnologia, Ions, Terres rares, Sílice, Metall-òxid-semiconductors complementaris

Matèries (anglès)

Diodes, Optics, Photonics, Nanotechnology, Ions, Rare earths, Silica, Complementary metal oxide semiconductors

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica)

Citació

BERENCÉN RAMÍREZ, Yonder Antonio, et al. Intense green-yellow electroluminescence from Tb+-implanted silicon-rich silicon nitride/oxide light emitting devices. Applied Physics Letters. 2013. Vol. 103, num. 11, pags. 111102-1-111102-4. ISSN 0003-6951. [consulted: 17 of August of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/46883

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre