Miniatura

Fitxers

554455.pdf (104.46 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió acceptada

Data de publicació

2007-06-11

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/98100

Nanocrystalline silicon thin films on PEN substrates

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2007.06.196

Resum

We study the structural and electrical properties of intrinsic layer growth close to the transition between amorphous silicon (a-Si:H) and nanocrystalline silicon (nc-Si:H), deposited on glass and PEN without intentional heating. These samples showed different behaviour in Raman shift and XRD spectra when compared with that of samples deposited at 200 °C. Electrical properties of these films also reflect the transition between a-Si:H and nc-Si:H, and put in evidence some differences between the microstructure of the films grown on PEN and on glass. P- and n-doped layers were deposited onto glass substrate without intentional heating and at 100 °C with thicknesses ranging from 1000 nm to 35 nm. Conductivity measurements indicate the capability of doping this material, but, for very thin layers, substrate heating was found to be essential.

Matèries

Cèl·lules solars, Silici

Matèries (anglès)

Solar cells, Silicon

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física Aplicada)

Citació

VILLAR, Fernando, ESCARRÉ I PALOU, Jordi, ANTONY, Aldrin, STELLA, Marco, ROJAS TARAZONA, Fredy e., ASENSI LÓPEZ, José miguel, BERTOMEU I BALAGUERÓ, Joan, ANDREU I BATALLÉ, Jordi. Nanocrystalline silicon thin films on PEN substrates. _Thin Solid Films_. 2007. Vol. 516, núm. 5, pàgs. 584-587. [consulta: 21 de gener de 2026]. ISSN: 0040-6090. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/98100]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre