Miniatura

Fitxers

188305.pdf (448.99 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió acceptada

Data de publicació

2002

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/47605

Studies on grain boundaries in nanocrystalline silicon grown by Hot-Wire CVD

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1016/S0022-3093(01)00943-7

Resum

The use of a tantalum wire in hot-wire chemical vapour deposition (HWCVD) has allowed the deposition of dense nanocrystalline silicon at low filament temperatures (1550 °C). A transition in the crystalline preferential orientation from (2 2 0) to (1 1 1) was observed around 1700 °C. Transmission electron microscopy (TEM) images, together with secondary ion mass spectrometry (SIMS) measurements, suggested that no oxidation occurred in materials obtained at low filament temperature due to the high density of the tissue surrounding grain boundaries. A greater concentration of SiH 3 radicals formed at these temperatures seemed to be responsible for the higher density.

Matèries

Silici, Nanocristalls, Deposició química en fase vapor, Oxigen, Pel·lícules fines, Cèl·lules solars

Matèries (anglès)

Silicon, Nanocrystals, Chemical vapor deposition, Oxygen, Thin films, Solar cells

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física Aplicada)

Citació

FONRODONA TURON, Marta, SOLER VILAMITJANA, David, ASENSI LÓPEZ, José miguel, BERTOMEU I BALAGUERÓ, Joan, ANDREU I BATALLÉ, Jordi. Studies on grain boundaries in nanocrystalline silicon grown by Hot-Wire CVD. _Journal of non-Crystalline Solids_. 2002. Vol. 299-302, núm. 1, pàgs. 14-19. [consulta: 24 de gener de 2026]. ISSN: 0022-3093. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/47605]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre