Miniatura

Fitxers

060261.pdf (3.81 MB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió acceptada

Data de publicació

1991

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/98451

Hydrogen related effects in a-Si:H studied by photothermal deflection spectroscopy

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1016/0921-4526(91)90136-3

Resum

A study of thermal annealing of a-Si:H samples between 300 and 600°C has been carried out. At increasing annealing temperatures, the sub-gap absorption measured by PDS increases showing two inflections, centered at 375 and 550°C. The hydrogen content measured by thermal desorption spectroscopy evolves in the same temperature range, whereas the evolution of the hydrogen content deduced from the IR transmission spectra differs, decreasing sooner and vanishing already at about 450°C.

Matèries

Espectroscòpia, Silici, Física de l'estat sòlid, Semiconductors

Matèries (anglès)

Spectrum analysis, Silicon, Solid state physics, Semiconductors

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física Aplicada)

Citació

SERRA-MIRALLES, J., ANDREU I BATALLÉ, Jordi, SARDIN, Georges, ROCH I CUNILL, Carles, ASENSI LÓPEZ, José miguel, BERTOMEU I BALAGUERÓ, Joan, ESTEVE PUJOL, Joan. Hydrogen related effects in a-Si:H studied by photothermal deflection spectroscopy. _Physica B_. 1991. Vol. 170, núm. 1-4, pàgs. 269-272. [consulta: 21 de gener de 2026]. ISSN: 0921-4526. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/98451]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre