Miniatura

Fitxers

634734.pdf (960.61 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

2013

Llicència de publicació

cc-by (c) Reparaz, J. S. et al., 2013
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/52832

Spatial mapping of exciton lifetimes in single ZnO nanowires

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1063/1.4808441

Resum

We investigate the spatial dependence of the exciton lifetimes in single ZnO nanowires. We have found that the free exciton and bound exciton lifetimes exhibit a maximum at the center of nanowires, while they decrease by 30% towards the tips. This dependence is explained by considering the cavity-like properties of the nanowires in combination with the Purcell effect. We show that the lifetime of the bound-excitons scales with the localization energy to the power of 3/2, which validates the model of Rashba and Gurgenishvili at the nanoscale.

Matèries

Nanoelectrònica, Semiconductors, Optoelectrònica, Òxid de zinc, Luminescència

Matèries (anglès)

Nanoelectronics, Semiconductors, Optoelectronics, Zinc oxide, Luminescence

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica)

Citació

REPARAZ, J. s., CALLSEN, G., WAGNER, M. r., GÜELL VILÀ, Frank, MORANTE I LLEONART, Joan ramon, SOTOMAYOR TORRES, C. m., HOFFMANN, A.. Spatial mapping of exciton lifetimes in single ZnO nanowires. _APL Materials_. 2013. Vol. 1, núm. 012103-1-012103-7. [consulta: 20 de gener de 2026]. ISSN: 2166-532X. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/52832]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre