Fitxers

634734.pdf (960.61 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

2013

Llicència de publicació

cc-by (c) Reparaz, J. S. et al., 2013
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/52832

Spatial mapping of exciton lifetimes in single ZnO nanowires

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

Contribució addicional

ISSN de la revista

Títol del volum

Resum

We investigate the spatial dependence of the exciton lifetimes in single ZnO nanowires. We have found that the free exciton and bound exciton lifetimes exhibit a maximum at the center of nanowires, while they decrease by 30% towards the tips. This dependence is explained by considering the cavity-like properties of the nanowires in combination with the Purcell effect. We show that the lifetime of the bound-excitons scales with the localization energy to the power of 3/2, which validates the model of Rashba and Gurgenishvili at the nanoscale.

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1063/1.4808441

Matèries

Nanoelectrònica, Semiconductors, Optoelectrònica, Òxid de zinc, Luminescència

Matèries (anglès)

Nanoelectronics, Semiconductors, Optoelectronics, Zinc oxide, Luminescence

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica)

Citació

REPARAZ, J. S., et al. Spatial mapping of exciton lifetimes in single ZnO nanowires. APL Materials. 2013. Vol. 1, num. 012103-1-012103-7. ISSN 2166-532X. [consulted: 29 of October of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/52832

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre