Carregant...
Fitxers
Tipus de document
ArticleVersió
Versió publicadaData de publicació
Tots els drets reservats
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/24744
Ion-beam synthesis of amorphous SiC films: Structural analysis and recrystallization
Títol de la revista
Director/Tutor
ISSN de la revista
Títol del volum
Recurs relacionat
Resum
The analysis of SiC films obtained by carbon ion implantation into amorphous Si (preamorphized by Ge ion implantation) has been performed by infrared and Raman scattering spectroscopies, transmission electron microscopy, Rutherford backscattering, and x‐ray photoelectron spectroscopy (XPS). The data obtained show the formation of an amorphous Si1−xCx layer on top of the amorphous Si one by successive Ge and C implantations. The fitting of the XPS spectra indicates the presence of about 70% of Si–C bonds in addition to the Si–Si and C–C ones in the implanted region, with a composition in the range 0.35
Matèries
Matèries (anglès)
Citació
Citació
SERRE, Christophe, CALVO BARRIO, Lorenzo, PÉREZ RODRÍGUEZ, Alejandro, ROMANO RODRÍGUEZ, Albert, MORANTE I LLEONART, Joan ramon, PACAUD, Y., KÖGLER, Reinhard, HEERA, Viton, SKORUPA, Wolfgang. Ion-beam synthesis of amorphous SiC films: Structural analysis and recrystallization. _Journal of Applied Physics_. 1996. Vol. 79, núm. 9, pàgs. 6907-6913. [consulta: 25 de gener de 2026]. ISSN: 0021-8979. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/24744]