Fitxers

105910.pdf (167.86 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

1996-05-01

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/24744

Ion-beam synthesis of amorphous SiC films: Structural analysis and recrystallization

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1063/1.361514

Resum

The analysis of SiC films obtained by carbon ion implantation into amorphous Si (preamorphized by Ge ion implantation) has been performed by infrared and Raman scattering spectroscopies, transmission electron microscopy, Rutherford backscattering, and x‐ray photoelectron spectroscopy (XPS). The data obtained show the formation of an amorphous Si1−xCx layer on top of the amorphous Si one by successive Ge and C implantations. The fitting of the XPS spectra indicates the presence of about 70% of Si–C bonds in addition to the Si–Si and C–C ones in the implanted region, with a composition in the range 0.35

Matèries

Implantació d'ions, Silici

Matèries (anglès)

Ion implantation, Silicon

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica)

Citació

SERRE, Christophe, et al. Ion-beam synthesis of amorphous SiC films: Structural analysis and recrystallization. Journal of Applied Physics. 1996. Vol. 79, núm. 9, pàgs. 6907-6913. ISSN 0021-8979. [consulta: 9 de maig de 2026]. Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/24744

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre