Amb motiu del tancament d'estiu, la validació de documents es reprendrà a partir del 28 d'agost de 2026. Disculpeu les molèsties.
Con motivo del cierre de verano, la validación de documentos se reanudará a partir del 28 de agosto de 2026. Disculpad las molestias
Due to the summer closure, document validation will resume starting August 28, 2026. We apologize for any inconvenience.

Fitxers

585166.pdf (605.4 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

2009

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/32209

Current transport and electroluminescence mechanisms in thin SiO2 films containing Si nanocluster-sensitized erbium ions.

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://doi.org/10.1063/1.3213386

Resum

We have studied the current transport and electroluminescence properties of metal oxide semiconductor MOS devices in which the oxide layer, which is codoped with silicon nanoclusters and erbium ions, is made by magnetron sputtering. Electrical measurements have allowed us to identify a Poole-Frenkel conduction mechanism. We observe an important contribution of the Si nanoclusters to the conduction in silicon oxide films, and no evidence of Fowler-Nordheim tunneling. The results suggest that the electroluminescence of the erbium ions in these layers is generated by energy transfer from the Si nanoparticles. Finally, we report an electroluminescence power efficiency above 10−3%. © 2009 American Institute of Physics. doi:10.1063/1.3213386

Matèries

Metall-òxid-semiconductors, Luminescència, Propietats òptiques, Optoelectrònica

Matèries (anglès)

Metal oxide semiconductors, Luminescence, Optical properties, Optoelectronics

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica)
Publicacions de projectes de recerca finançats per la UE

Citació

JAMBOIS, Olivier, et al. Current transport and electroluminescence mechanisms in thin SiO2 films containing Si nanocluster-sensitized erbium ions. Journal of Applied Physics. 2009. Vol. 106, num. 063526-1-063526-6. ISSN 0021-8979. [consulted: 16 of August of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/32209

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre