Carregant...
Fitxers
Tipus de document
ArticleVersió
Versió publicadaData de publicació
Tots els drets reservats
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/24724
Analysis by optical absorption and transmission electron microscopy of the strain inhomogeneities in InGaAs/InP strained layers
Títol de la revista
Director/Tutor
ISSN de la revista
Títol del volum
Recurs relacionat
Resum
Optical absorption spectra and transmission electron microscopy (TEM) observations on InGaAs/InP layers under compressive strain are reported. From the band¿gap energy dispersion, the magnitude of the strain inhomogeneities. Is quantified and its microscopic origin is analyzed in view of the layer microstructure. TEM observations reveal a dislocation network at the layer interface the density of which correlates with ¿¿. It is concluded that local variations of dislocation density are responsible for the inhomogeneous strain field together with another mechanism that dominates when the dislocation density is very low.
Matèries
Matèries (anglès)
Citació
Citació
ROURA GRABULOSA, Pere, CLARK, S. a., BOSCH ESTRADA, José, PEIRÓ MARTÍNEZ, Francisca, CORNET I CALVERAS, Albert, MORANTE I LLEONART, Joan ramon. Analysis by optical absorption and transmission electron microscopy of the strain inhomogeneities in InGaAs/InP strained layers. _Journal of Applied Physics_. 1995. Vol. 77, núm. 8, pàgs. 4018-4020. [consulta: 24 de gener de 2026]. ISSN: 0021-8979. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/24724]