Amb motiu del tancament d'estiu, la validació de documents es reprendrà a partir del 28 d'agost de 2026. Disculpeu les molèsties.
Con motivo del cierre de verano, la validación de documentos se reanudará a partir del 28 de agosto de 2026. Disculpad las molestias
Due to the summer closure, document validation will resume starting August 28, 2026. We apologize for any inconvenience.

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/24724

Analysis by optical absorption and transmission electron microscopy of the strain inhomogeneities in InGaAs/InP strained layers

Títol de la revista

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Resum

Optical absorption spectra and transmission electron microscopy (TEM) observations on InGaAs/InP layers under compressive strain are reported. From the band¿gap energy dispersion, the magnitude of the strain inhomogeneities. Is quantified and its microscopic origin is analyzed in view of the layer microstructure. TEM observations reveal a dislocation network at the layer interface the density of which correlates with ¿¿. It is concluded that local variations of dislocation density are responsible for the inhomogeneous strain field together with another mechanism that dominates when the dislocation density is very low.

Matèries (anglès)

Citació

Citació

ROURA GRABULOSA, Pere, et al. Analysis by optical absorption and transmission electron microscopy of the strain inhomogeneities in InGaAs/InP strained layers. Journal of Applied Physics. 1995. Vol. 77, num. 8, pags. 4018-4020. ISSN 0021-8979. [consulted: 11 of August of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/24724

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre