Miniatura

Fitxers

525190.pdf (184.54 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió acceptada

Data de publicació

2005

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/47424

Top-gate microcrystalline silicon TFTs processed at low temperature (<200ºC)

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2005.01.070

Resum

N-type as well P-type top-gate microcrystalline silicon thin film transistors (TFTs) are fabricated on glass substrates at a maximum temperature of 200 °C. The active layer is an undoped μc-Si film, 200 nm thick, deposited by Hot-Wire Chemical Vapor. The drain and source regions are highly phosphorus (N-type TFTs) or boron (P-type TFTs)-doped μc-films deposited by HW-CVD. The gate insulator is a silicon dioxide film deposited by RF sputtering. Al-SiO 2-N type c-Si structures using this insulator present low flat-band voltage,-0.2 V, and low density of states at the interface D it=6.4×10 10 eV -1 cm -2. High field effect mobility, 25 cm 2/V s for electrons and 1.1 cm 2/V s for holes, is obtained. These values are very high, particularly the hole mobility that was never reached previously.

Matèries

Transistors, Semiconductors, Silici, Temperatures baixes

Matèries (anglès)

Transistors, Semiconductors, Silicon, Low temperatures

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física Aplicada)

Citació

SABOUNDJI, A., COULON, N., GORIN, A., LHERMITE, H., MOHAMMED-BRAHIM, T., FONRODONA TURON, Marta, BERTOMEU I BALAGUERÓ, Joan, ANDREU I BATALLÉ, Jordi. Top-gate microcrystalline silicon TFTs processed at low temperature (<200ºC). _Thin Solid Films_. 2005. Vol. 487, núm. 1-2, pàgs. 227-231. [consulta: 20 de gener de 2026]. ISSN: 0040-6090. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/47424]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre