Fitxers

171329.pdf (95.1 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió acceptada

Data de publicació

2001

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/47378

Stability of hydrogenated nanocrystalline silicon thin-film transistors

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1016/S0040-6090(01)01290-1

Resum

Hydrogenated nanocrystalline silicon thin-films were obtained by catalytic chemical vapour deposition at low substrate temperatures (150°C) and high deposition rates (10 Å/s). These films, with crystalline fractions over 90%, were incorporated as the active layers of bottom-gate thin-film transistors. The initial field-effect mobilities of these devices were over 0.5 cm 2/V s and the threshold voltages lower than 4 V. In this work, we report on the enhanced stability of these devices under prolonged times of gate bias stress compared to amorphous silicon thin-film transistors. Hence, they are promising candidates to be considered in the future for applications such as flat-panel displays.

Matèries

Pel·lícules fines, Silici, Nanocristalls, Semiconductors, Catàlisi, Deposició química en fase vapor

Matèries (anglès)

Thin films, Silicon, Nanocrystals, Semiconductors, Catalysis, Chemical vapor deposition

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física Aplicada)

Citació

ORPELLA, Albert, et al. Stability of hydrogenated nanocrystalline silicon thin-film transistors. Thin Solid Films. 2001. Vol. 395, num. 1-2, pags. 334-337. ISSN 0040-6090. [consulted: 24 of May of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/47378

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre