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Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/212305
Influència dels tractaments superficials en les característiques elèctriques d'estructures planars sobre GaAs semi-aïllant
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Resum
[cat] En aquest treball s'estudien els corrents de fuites existents entre els dispositius MESFET veïns als circuits integrats de GaAs i l'efecte que sobre aquests corrents tenen els diferents tractaments superficials a què se sotmeten. S'ha fet una caracterització estructural i elèctrica de les mostres. S'ha elaborat un model basat en la consideració de processos de generació-recombinació no-lineals (ionització per impacte de les impureses presents al material). S'ha derivat un model simplificat que permet obtenir expressions analítiques per a les característiques elèctriques. El conjunt de l'estudi ens ha permès concloure que el procés de passivació òptim seria aquell que eliminant l'òxid nadiu no introdueix pertorbacions considerables a la zona més propera a la superfície del material.
[spa] En este trabajo se estudian las corrientes de fugas existentes entre los dispositivos MESFET vecinos en los circuitos integrados de GaAs y el efecto que sobre estas corrientes tienen los diferentes tratamientos superficiales a los que se someten. Se ha llevado a término una caracterización estructural y eléctrica de las muestras. Se ha elaborado un modelo basado en la consideración de procesos de generación-recombinación no-lineales (ionización por impacto de las impurezas presentes en el material). Se ha derivado un modelo simplificado que permite la obtención de expresiones analíticas para las características eléctricas. El conjunto del estudio nos ha permitido concluir que el proceso de pasivación óptimo sería aquel que, eliminando el óxido nativo, no introduce perturbaciones considerables en la zona más cercana a la superficie del material.
[spa] En este trabajo se estudian las corrientes de fugas existentes entre los dispositivos MESFET vecinos en los circuitos integrados de GaAs y el efecto que sobre estas corrientes tienen los diferentes tratamientos superficiales a los que se someten. Se ha llevado a término una caracterización estructural y eléctrica de las muestras. Se ha elaborado un modelo basado en la consideración de procesos de generación-recombinación no-lineales (ionización por impacto de las impurezas presentes en el material). Se ha derivado un modelo simplificado que permite la obtención de expresiones analíticas para las características eléctricas. El conjunto del estudio nos ha permitido concluir que el proceso de pasivación óptimo sería aquel que, eliminando el óxido nativo, no introduce perturbaciones considerables en la zona más cercana a la superficie del material.
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Citació
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GUAL I OBRADORS, Jordi. Influència dels tractaments superficials en les característiques elèctriques d'estructures planars sobre GaAs semi-aïllant. [consulta: 20 de gener de 2026]. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/212305]