Miniatura

Fitxers

653057.pdf (1.14 MB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

2015-04-23

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/98752

Elastic tunneling charge transport mechanisms in silicon quantum dots / SiO2 thin films and superlattices

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1063/1.4919747

Resum

The role of different charge transport mechanisms in Si /SiO2 structures has been studied. A theoretical model based on the Transfer Hamiltonian Formalism has been developed to explain experimental current trends in terms of three different elastic tunneling processes: (1) trap assisted tunneling; (2) transport through an intermediate quantum dot; and (3) direct tunneling between leads. In general, at low fields carrier transport is dominated by the quantum dots whereas, for moderate and high fields, transport through deep traps inherent to the SiO 2 is the most relevant process. Besides, current trends in Si /SiO2 superlattice structure have been properly reproduced.

Matèries

Semiconductors, Teoria quàntica, Nanocristalls, Silici

Matèries (anglès)

Semiconductors, Quantum theory, Nanocrystals, Silicon

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica)

Citació

ILLERA ROBLES, Sergio, PRADES GARCÍA, Juan daniel, CIRERA HERNÁNDEZ, Albert. Elastic tunneling charge transport mechanisms in silicon quantum dots / SiO2 thin films and superlattices. _Journal of Applied Physics_. 2015. Vol. 117, núm. 17, pàgs. 174307. [consulta: 25 de febrer de 2026]. ISSN: 0021-8979. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/98752]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre