Amb motiu del tancament d'estiu, la validació de documents es reprendrà a partir del 28 d'agost de 2026. Disculpeu les molèsties.
Con motivo del cierre de verano, la validación de documentos se reanudará a partir del 28 de agosto de 2026. Disculpad las molestias
Due to the summer closure, document validation will resume starting August 28, 2026. We apologize for any inconvenience.

Fitxers

87816.pdf (716.05 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

1993-07-01

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/24722

Influence of mismatch on the defects in relaxed epitaxial InGaAs/GaAs(100) films grown by molecular beam epitaxy

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1063/1.354827

Resum

Thick (∼3 μm) films of InxGa1−xAs grown on GaAs(100) substrates, across the whole composition range, have been examined by transmission electron microscopy and double‐crystal x‐ray diffraction. The results were compared with the observed growth mode of the material determined by in situ reflection high‐energy electron diffraction in the molecular beam epitaxy growth system. The quality of the material degraded noticeably for compositions up to x∼0.5 associated with an increased density of dislocations and stacking faults. In contrast, improvements in quality as x approached 1.0 were correlated with the introduction of an increasingly more regular array of edge dislocations.

Matèries

Cristal·lografia, Nanotecnologia

Matèries (anglès)

Crystallography, Nanotechnology

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica)

Citació

WESTWOOD, David I., et al. Influence of mismatch on the defects in relaxed epitaxial InGaAs/GaAs(100) films grown by molecular beam epitaxy. Journal of Applied Physics. 1993. Vol. 74, num. 3, pags. 1731-1735. ISSN 0021-8979. [consulted: 9 of August of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/24722

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre