Carregant...
Fitxers
Tipus de document
ArticleVersió
Versió publicadaData de publicació
Tots els drets reservats
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/24722
Influence of mismatch on the defects in relaxed epitaxial InGaAs/GaAs(100) films grown by molecular beam epitaxy
Títol de la revista
Director/Tutor
ISSN de la revista
Títol del volum
Recurs relacionat
Resum
Thick (∼3 μm) films of InxGa1−xAs grown on GaAs(100) substrates, across the whole composition range, have been examined by transmission electron microscopy and double‐crystal x‐ray diffraction. The results were compared with the observed growth mode of the material determined by in situ reflection high‐energy electron diffraction in the molecular beam epitaxy growth system. The quality of the material degraded noticeably for compositions up to x∼0.5 associated with an increased density of dislocations and stacking faults. In contrast, improvements in quality as x approached 1.0 were correlated with the introduction of an increasingly more regular array of edge dislocations.
Matèries
Matèries (anglès)
Citació
Citació
WESTWOOD, David i., WOOLF, D. a., VILÀ I ARBONÈS, Anna maria, CORNET I CALVERAS, Albert, MORANTE I LLEONART, Joan ramon. Influence of mismatch on the defects in relaxed epitaxial InGaAs/GaAs(100) films grown by molecular beam epitaxy. _Journal of Applied Physics_. 1993. Vol. 74, núm. 3, pàgs. 1731-1735. [consulta: 30 de gener de 2026]. ISSN: 0021-8979. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/24722]