Carregant...
Fitxers
Tipus de document
ArticleVersió
Versió publicadaData de publicació
Tots els drets reservats
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/24723
Electrical transport quantum effects in the In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As heterostructure on silicon
Títol de la revista
Director/Tutor
ISSN de la revista
Títol del volum
Recurs relacionat
Resum
Electrical transport in a modulation doped heterostructure of In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As grown on Si by molecular beam epitaxy has been measured. Quantum Hall effect and Subnikov¿De Haas oscillations were observed indicating the two¿dimensional character of electron transport. A mobility of 20¿000 cm2/V¿s was measured at 6 K for an electron sheet concentration of 1.7×1012 cm¿2. Transmission electron microscopy observations indicated a significant surface roughness and high defect density of the InGaAs/InAlAs layers to be present due to the growth on silicon. In addition, fine¿scale composition modulation present in the In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As may further limit transport properties.
Matèries
Matèries (anglès)
Citació
Citació
GEORGAKILAS, Alexander, CHRISTOU, Aris, ZEKENTES, Konstantinos, MERCY, J. m., KONCZEWIC, L. k., VILÀ I ARBONÈS, Anna maria, CORNET I CALVERAS, Albert. Electrical transport quantum effects in the In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As heterostructure on silicon. _Journal of Applied Physics_. 1994. Vol. 76, núm. 3, pàgs. 1948-1950. [consulta: 25 de febrer de 2026]. ISSN: 0021-8979. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/24723]