Fitxers

91318.pdf (388.34 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

1994-07-01

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/24723

Electrical transport quantum effects in the In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As heterostructure on silicon

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1063/1.357652

Resum

Electrical transport in a modulation doped heterostructure of In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As grown on Si by molecular beam epitaxy has been measured. Quantum Hall effect and Subnikov¿De Haas oscillations were observed indicating the two¿dimensional character of electron transport. A mobility of 20¿000 cm2/V¿s was measured at 6 K for an electron sheet concentration of 1.7×1012 cm¿2. Transmission electron microscopy observations indicated a significant surface roughness and high defect density of the InGaAs/InAlAs layers to be present due to the growth on silicon. In addition, fine¿scale composition modulation present in the In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As may further limit transport properties.

Matèries

Camps magnètics, Nanotecnologia

Matèries (anglès)

Magnetic fields, Nanotechnology

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica)

Citació

GEORGAKILAS, Alexander, et al. Electrical transport quantum effects in the In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As heterostructure on silicon. Journal of Applied Physics. 1994. Vol. 76, núm. 3, pàgs. 1948-1950. ISSN 0021-8979. [consulta: 8 de maig de 2026]. Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/24723

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre