Miniatura

Fitxers

147808.pdf (107.28 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió acceptada

Data de publicació

2000

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/47417

Thin Film Transistors obtained by Hot-Wire CVD

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1016/S0022-3093(99)00942-4

Resum

Hydrogenated microcrystalline silicon films obtained at low temperature (150-280°C) by hot wire chemical vapour deposition at two different process pressures were measured by Raman spectroscopy, X-ray diffraction (XRD) spectroscopy and photothermal deflection spectroscopy (PDS). A crystalline fraction >90% with a subgap optical absortion 10 cm -1 at 0.8 eV were obtained in films deposited at growth rates >0.8 nm/s. These films were incorporated in n-channel thin film transistors and their electrical properties were measured. The saturation mobility was 0.72 ± 0.05 cm 2/ V s and the threshold voltage around 0.2 eV. The dependence of their conductance activation energies on gate voltages were related to the properties of the material.

Matèries

Silici, Pel·lícules fines, Transistors, Deposició química en fase vapor, Temperatures baixes, Semiconductors amorfs

Matèries (anglès)

Silicon, Thin films, Transistors, Chemical vapor deposition, Low temperatures, Amorphous semiconductors

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física Aplicada)

Citació

PUIGDOLLERS I GONZÁLEZ, Joaquim, ORPELLA, Albert, DOSEV, D., VOZ SÁNCHEZ, Cristóbal, PALLARÉS CURTO, Jordi, MARSAL GARVÍ, Lluís f. (lluís francesc), BERTOMEU I BALAGUERÓ, Joan, ANDREU I BATALLÉ, Jordi, ALCUBILLA GONZÁLEZ, Ramón, PEIRÓ, D.. Thin Film Transistors obtained by Hot-Wire CVD. _Journal of non-Crystalline Solids_. 2000. Vol. 266-269, núm. 2, pàgs. 1304-1309. [consulta: 20 de gener de 2026]. ISSN: 0022-3093. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/47417]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre