Amb motiu del tancament d'estiu, la validació de documents es reprendrà a partir del 28 d'agost de 2026. Disculpeu les molèsties.
Con motivo del cierre de verano, la validación de documentos se reanudará a partir del 28 de agosto de 2026. Disculpad las molestias
Due to the summer closure, document validation will resume starting August 28, 2026. We apologize for any inconvenience.

Fitxers

599284.pdf (806.26 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió acceptada

Data de publicació

2011-12-05

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/32396

Polarization strategies to improve the emission of a Si-based light source emitting at 1.55 um

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1016/j.mseb.2011.12.023

Resum

We present a electroluminescence (EL) study of the Si-rich silicon oxide (SRSO) LEDs with and without Er3+ ions under different polarization schemes: direct current (DC) and pulsed voltage (PV). The power efficiency of the devices and their main optical limitations are presented. We show that under PV polarization scheme, the devices achieve one order of magnitude superior performance in comparison with DC. Time-resolved measurements have shown that this enhancement is met only for active layers in which annealing temperature is high enough (>1000 ◦C) for silicon nanocrystal (Si-nc) formation. Modeling of the system with rate equations has been done and excitation cross-sections for both Si-nc and Er3+ ions have been extracted.

Matèries

Nanocristalls semiconductors, Silici, Metall-òxid-semiconductors complementaris, Fotònica

Matèries (anglès)

Semiconductor nanocrystals, Silicon, Complementary metal oxide semiconductors, Photonics

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica)
Publicacions de projectes de recerca finançats per la UE

Citació

RAMÍREZ RAMÍREZ, Joan Manel, et al. Polarization strategies to improve the emission of a Si-based light source emitting at 1.55 um. Materials Science and Engineering B-Solid State Materials for Advanced Technology. 2011. Vol. 177, num. 10, pags. 734-738. ISSN 0921-5107. [consulted: 14 of August of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/32396

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre