Miniatura

Fitxers

184420.pdf (228.68 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

2001

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/12801

Dissociation of vertical semiconductor diatomic artificial molecules

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.87.066801

Resum

We investigate the dissociation of few-electron circular vertical semiconductor double quantum dot artificial molecules at 0 T as a function of interdot distance. A slight mismatch introduced in the fabrication of the artificial molecules from nominally identical constituent quantum wells induces localization by offsetting the energy levels in the quantum dots by up to 2 meV, and this plays a crucial role in the appearance of the addition energy spectra as a function of coupling strength particularly in the weak coupling limit.

Matèries

Estructura electrònica, Macromolècules, Ciència dels materials

Matèries (anglès)

Electronic structure, Macromolecules, Materials science

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física Quàntica i Astrofísica)

Citació

PI PERICAY, Martí, EMPERADOR, Agustí, BARRANCO GÓMEZ, Manuel, GARCIAS, Francisca, MURAKI, K., TARUCHA, S., AUSTING, D. g.. Dissociation of vertical semiconductor diatomic artificial molecules. _Physical Review Letters_. 2001. Vol. 87, núm. 6, pàgs. 066801-1-066801-4. [consulta: 21 de gener de 2026]. ISSN: 0031-9007. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/12801]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre