Miniatura

Fitxers

527741.pdf (368.26 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

2005

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/8749

Hydrogen-induced changes in the breakdown voltage of InP HEMTs

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1109/TDMR.2005.846825

Resum

In this work, electrical measurements show that the breakdown voltage,BVDG, of InP HEMTs increases following exposure to H2. This BVDG shift is nonrecoverable. The increase in BVDG is found to be due to a decrease in the carrier concentration in the extrinsic portion of the device.We provide evidence that H2 reacts with the exposed InAlAs surface in the extrinsic region next to the gate, changing the underlying carrier concentration. Hall measurements of capped and uncapped HEMT samples show that the decrease in sheet carrier concentration can be attributed to a modification of the exposed InAlAs surface. Consistent with this, XPS experiments on uncapped heterostructures give evidence of As loss from the InAlAs surface upon exposure to hydrogen.

Matèries

Hidrogen, Espectroscòpia de raigs X, Transistors

Matèries (anglès)

Hall mobility, III-V semiconductors, X-ray spectroscopy, Failure analysis, High electron mobility, Transistors, Hydrogen, Indium compounds, Semiconductor device breakdown

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica)

Citació

BLANCHARD, Roxann r., ALAMO, Jesús a. del, CORNET I CALVERAS, Albert. Hydrogen-induced changes in the breakdown voltage of InP HEMTs. _IEEE Transactions On Device And Materials Reliability_. 2005. Vol. 5, núm. 2, pàgs. 231-234. [consulta: 24 de gener de 2026]. ISSN: 1530-4388. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/8749]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre