Miniatura

Fitxers

644840.pdf (786.89 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

2014-11-26

Llicència de publicació

cc-by-nc-nd (c) Vilella Figueras, Eva et al., 2014
Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/67161

Characterization of linear-mode avalanche photodiodes in standard CMOS

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

Resum

Linear-mode Avalanche PhotoDiodes (APDs) can be fabricated in standard CMOS processes for obtaining high multiplication gains that allow to determine the number of incident photons with great precision. This idea can be exploited in several application domains, such as image sensors, optical communications and quantum information. In this work, we present a linear-mode APD fabricated in a 0.35 µm CMOS process and report its noise and gain characterization by means of two different experimental set-ups. Good matching is observed between the results obtained by means of the two different methods.

Matèries

Metall-òxid-semiconductors complementaris, Col·lisions (Física nuclear), Circuits electrònics

Matèries (anglès)

Complementary metal oxide semiconductors, Collisions (Nuclear physics), Electronic circuits

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica)
<b>Publicacions de projectes de recerca finançats per la UE</b>

Citació

VILELLA FIGUERAS, Eva, VILÀ I ARBONÈS, Anna maria, PALACIO, Fernando, LÓPEZ DE MIGUEL, Manuel, DIÉGUEZ BARRIENTOS, Àngel. Characterization of linear-mode avalanche photodiodes in standard CMOS. _Procedia Engineering_. 2014. Vol. 87, núm. 728-731. [consulta: 20 de gener de 2026]. ISSN: 1877-7058. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/67161]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre