Amb motiu del tancament d'estiu, la validació de documents es reprendrà a partir del 28 d'agost de 2026. Disculpeu les molèsties.
Con motivo del cierre de verano, la validación de documentos se reanudará a partir del 28 de agosto de 2026. Disculpad las molestias
Due to the summer closure, document validation will resume starting August 28, 2026. We apologize for any inconvenience.

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/24745

Structure of 60° dislocations at the GaAs/Si interface

Títol de la revista

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Resum

High‐resolution electron microscopy technique has been applied to a detailed study of the 60° dislocations at the atomic layer molecular‐beam‐epitaxial GaAs/Si interface. Their deformation fields strongly interact with neighbor dislocations inducing irregular spacing between the cores and possible dissociations. Biatomic silicon steps were observed at the interface, but never inside 60° dislocation cores. Computer image simulation and elasticity calculations of the atomic displacement field have been used in order to determine the structure of the 60° dislocation; however, due to the Eshelby effect and to interaction with some neighbor dislocations, in many cases no theoreticalmodel could explain some observations.

Citació

Citació

VILÀ I ARBONÈS, Anna Maria, et al. Structure of 60° dislocations at the GaAs/Si interface. Journal of Applied Physics. 1996. Vol. 79, num. 2, pags. 676-681. ISSN 0021-8979. [consulted: 8 of August of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/24745

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre