Miniatura

Fitxers

106453.pdf (2.36 MB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

1996-01-15

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/24745

Structure of 60° dislocations at the GaAs/Si interface

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1063/1.360812

Resum

High‐resolution electron microscopy technique has been applied to a detailed study of the 60° dislocations at the atomic layer molecular‐beam‐epitaxial GaAs/Si interface. Their deformation fields strongly interact with neighbor dislocations inducing irregular spacing between the cores and possible dissociations. Biatomic silicon steps were observed at the interface, but never inside 60° dislocation cores. Computer image simulation and elasticity calculations of the atomic displacement field have been used in order to determine the structure of the 60° dislocation; however, due to the Eshelby effect and to interaction with some neighbor dislocations, in many cases no theoreticalmodel could explain some observations.

Matèries

Microscòpia electrònica, Feixos moleculars

Matèries (anglès)

Electron microscopy, Molecular beams

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Enginyeria Electrònica i Biomèdica)

Citació

VILÀ I ARBONÈS, Anna maria, CORNET I CALVERAS, Albert, MORANTE I LLEONART, Joan ramon, RUTERANA, Pierre, LOUBRADOU, Marc, BONNET, Roland. Structure of 60° dislocations at the GaAs/Si interface. _Journal of Applied Physics_. 1996. Vol. 79, núm. 2, pàgs. 676-681. [consulta: 26 de gener de 2026]. ISSN: 0021-8979. [Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/24745]

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre