Fitxers

507390.pdf (317.87 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió acceptada

Data de publicació

2003

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/47371

Shutterless deposition of phosphorous doped microcrystalline silicon by Cat-CVD

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1016/S0040-6090(03)00101-9

Resum

In this paper we present results on phosphorous-doped μc-Si:H by catalytic chemical vapour deposition in a reactor with an internal arrangement that does not include a shutter. An incubation phase of around 20 nm seems to be the result of the uncontrolled conditions that take place during the first stages of deposition. The optimal deposition conditions found lead to a material with a dark conductivity of 12.8 S/cm, an activation energy of 0.026 eV and a crystalline fraction of 0.86. These values make the layers suitable to be implemented in solar cells.

Matèries

Silici, Catàlisi, Deposició química en fase vapor, Fòsfor, Cristalls, Cèl·lules solars, Pel·lícules fines

Matèries (anglès)

Silicon, Catalysis, Chemical vapor deposition, Phosphorus, Crystals, Solar cells, Thin films

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física Aplicada)

Citació

FONRODONA TURON, Marta, et al. Shutterless deposition of phosphorous doped microcrystalline silicon by Cat-CVD. Thin Solid Films. 2003. Vol. 430, núm. 1-2, pàgs. 145-148. ISSN 0040-6090. [consulta: 8 de maig de 2026]. Disponible a: https://hdl.handle.net/2445/47371

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre