Fitxers

145903.pdf (86.43 KB)

Tipus de document

Article

Versió

Versió publicada

Data de publicació

1999-04-15

Tots els drets reservats

Si us plau utilitzeu sempre aquest identificador per citar o enllaçar aquest document: https://hdl.handle.net/2445/24789

Tunable epitaxial growth of magnetoresistive La2/3Sr1/3MnO3 thin films

Títol de la revista

Autors

Director/Tutor

ISSN de la revista

Títol del volum

Recurs relacionat

http://dx.doi.org/10.1063/1.370486

Resum

We report on the growth of epitaxial La2/3Sr1/3MnO3 thin films on buffered Si(001) substrates. We show that a suitable choice of the buffer heterostructure allows one to obtain epitaxial (00h), (0hh), and (hhh) manganite thin films. The magnetotransport properties are investigated and we have found that the low-field magnetoresistance is directly related to the width of the normal-to-plane rocking curves, irrespective of the film orientation. The magnetic anisotropy of these films has also been determined.

Matèries

Pel·lícules fines, Anisotropia, Magnetisme, Làsers

Matèries (anglès)

Thin films, Anisotropy, Magnetism, Lasers

Citació

Col·leccions

Articles publicats en revistes (Física Aplicada)

Citació

FONTCUBERTA I GRIÑÓ, Josep, et al. Tunable epitaxial growth of magnetoresistive La2/3Sr1/3MnO3 thin films. Journal of Applied Physics. 1999. Vol. 85, num. 8, pags. 4800-4802. ISSN 0021-8979. [consulted: 27 of June of 2026]. Available at: https://hdl.handle.net/2445/24789

Exportar metadades

JSON - METS

Compartir registre